前工程
後工程
ウェーハの裏面研磨
ウェーハをより軽く、薄くするために裏面を削ります。
表面保護テープ剥離
ウェーハ裏面にDAF貼付した後、ウェーハをダイシングフレームに固定。
最後に表面保護テープを剥離する動作を一連で行います。
ストレスを与えること無く、ウェーハから支持基板を分離します。
ダイシング用ウェーハマウント
ウェーハのダイシング
ウェーハを切断し仕上がりをチェックし、良品だけがチップとして使用されます。
紫外線照射
一般半導体工程
ワイヤーボンディング
チップとリードフレームをボンディングワイヤー（約25ミクロンの金線等）で接続します。
パッケージング
チップをセラミックや、樹脂などのパッケージに封入します。
半導体完成
製品検査、信頼性試験に合格したら、半導体の完成です。
CSP工程
BGA工程
パッケージング
チップをセラミックや、樹脂などのパッケージに封入します。
ダイシング用サブストレートマウント
ダイシング
パッケージを切り分けます。
トレー収納
CSP
製品検査後、信頼性検査に合格したら、CSP半導体の完成です。
